NAINA - India
Naina Semiconductor Ltd. (NSL) gehört in Indien zu den führenden Herstellern von Leistungshalbleitern. Das agile Unternehmen hatte 1988 damit begonnen Standard-Recovery-Dioden und Fast-Revovery-Dioden in Kunststoffgehäusen sowie in DO-41, DO-27 und R-6 Verpackungen für Anwendungen in der Telekommunikation zu fertigen. Die Qualität der Bauteile hat auch bei Dioden mit anspruchsvolleren Spezifikationen überzeugt, beispielsweise für Anwendungen in der Schweißtechnik.
Seither hat sich das Unternehmen kontinuierlich zu einem leistungsfähigem Lieferanten für elektrische Bauteile wie Leistungsdioden, Thyristoren (SCR = silicon controlled rectifier [gesteuerter Silizium-Gleichrichter], Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Diode), Z-Dioden (Zener-Diode), Gleichrichter, Solardioden, Triacs, Leistungsmodule, Brückengleichrichter, Gleichrichterstapel/ baugruppen und andere kundenspezifische Produkte entwickelt.
CAPCOMP ist offizieller Distributor Europa und Ansprechpartner für individuelle Kundenwünsche.
Cross Reference Listen
Industrie vs NAINA Art-Nr.
Dioden Module | Cross-Ref. (.XLS)
SCR-Dioden Module | Cross-Ref. (.XLS)
Thyristor Dioden Module | Cross-Ref. (.XLS)
Anwendungslisten
NAINA Produktgruppen
Standard Recovery-Dioden
Diskrete Dioden
- 6A - 400 A
- bis 1.600 V
- Glaspassivierte Chips in robusten, hermetisch abgedichteten Gehäusen
- Geringe Leitungsverluste
- Hohe Stoßstromstabilität
- Geringer Leckagestrom
- Metrische und UNF-Gewinde verfügbar
Anwendungen
- Stromversorgungen
- Motorsteuerungen
- Unterhaltungselektronik, Beleuchtung
- Telekommunikationsgeräten
- Schweißgeräte
- Batterieladegeräte, u.v.a.
Powermodule
Typen
- Dioden Module
- Thyristor-Dioden Module
- Thyristor Module
- Three Phase Half Bridge Thyristor Module
- Three Phase Half Bridge Diode Module
- Schottky Dioden Module
- Super-Fast Recovery Dioden Module
Zener Dioden | Z-Dioden
Diskrete Dioden
- 10W, 20W | DO-4 Package
- 50W, 75W | DO-5 Package
- 300W | DO-9 Package
- 50 W To-3 Metal Cap Dioden
- 6,8V - 200V
- Power Surge Compressor (Überspannungsschutz) 300W
- Passivierter Glasübergang
- Gute Überspannungsfähigkeit
- Polarität: normal/umgekehrt
- Metrische und UNF-Gewindetypen
Anwendungen
-
Spannungsklemmanwendungen
-
Photovoltaikanlagen
-
Schaltnetzteile
-
Gleichrichter
-
Detektoren
-
Motorantriebe
Fast Recovery Dioden (FRD)
Diskrete Dioden
- Fast und Super Fast Recovery Dioden
- 25 - 400 A
- Passivierte Glasplatte (bis 70 A)
- Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
- Hohe Überspannungsfähigkeit
- Niedriger Ableitstrom
- Normale und umgekehrte Polarität
- Twin Tower Packages (ab 100 A)
- Metrische und UNF-Gewinde verfügbar
Anwendungen
- C-AC-Wandler
- PFC-Schaltungen
- Schaltnetzteile
Schottky-Dioden
Diskrete Dioden
-
Package Typen: Stud Type und Twin Tower
-
15 - 80 A | 20V - 100V
-
Metrische und UNF-Gewinde
-
Hoher Wirkungsgrad aufgrund von sehr geringem Vorwärtsspannungsabfall und schneller Schaltfunktion
-
Glaspassiviertes Chip-Design
-
Sehr robust gegen Umwelteinflüsse
Anwendungen
-
Spannungsklemmanwendungen
-
Photovoltaikanlagen
-
Schaltnetzteile
-
Gleichrichter
-
Detektoren
-
Motorantriebe
Brückengleichrichter
Bridge Rectifier
- Einphasige Brückengleichrichter
- Dreiphasige Brückengleichrichter
- Einphasige Brückengleichrichter - halb gesteuert
- Dreiphasige Brückengleichrichter - halb gesteuert
- Einphasige Brückengleichrichter - voll gesteuert
- Drephasige Brückengleichrichter - voll gesteuert
- Dreiphasige Brückengleichrichter für Generatoren
IGBT Leistungsschalter
IGBT Module
- 1200V/100A
- 650V/75A
- 1200V/75A